CU-100

选择性铜蚀刻液

・使用於晶圆级封装之铜的 UBM 层蚀刻制程，且对於其他金属及底材具高度的选择比，
如:Ti、Ni、Sn/SnAg、Au、Polyimide、Glass、SiO2。
・蚀刻后，电镀铜线路之侧蚀量及 Undercut 少，适合於 Fine Pitch 之制程。
・蚀刻速率稳定，Bath Life 长。