CU-845W
选择性铜蚀刻液
CU-845W是以双氧水及有机酸为基础的选择性铜蚀刻液，应用於半导体晶圆封装、高阶IC载板、光电产业、被动元件等UBM的溅镀铜层蚀刻制程。对於其他金属具高度的选择比，如:Ti、Ni、Sn/SnAg、Au、Al，并适用於矽晶圆、砷化镓晶圆等不同的领域的制造。蚀刻后，电镀铜线路之侧蚀量及 Undercut 少，适合於 Fine Pitch 之制程。蚀刻速率稳定，Bath Life 长。
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选择性铜蚀刻液
CU-845W是以双氧水及有机酸为基础的选择性铜蚀刻液，应用於半导体晶圆封装、高阶IC载板、光电产业、被动元件等UBM的溅镀铜层蚀刻制程。对於其他金属具高度的选择比，如:Ti、Ni、Sn/SnAg、Au、Al，并适用於矽晶圆、砷化镓晶圆等不同的领域的制造。蚀刻后，电镀铜线路之侧蚀量及 Undercut 少，适合於 Fine Pitch 之制程。蚀刻速率稳定，Bath Life 长。