CU-845W
選擇性銅蝕刻液
CU-845W是以雙氧水及有機酸為基礎的選擇性銅蝕刻液，應用於半導體晶圓封裝、高階IC載板、光電產業、被動元件等UBM的濺鍍銅層蝕刻製程。對於其他金屬具高度的選擇比，如:Ti、Ni、Sn/SnAg、Au、Al，並適用於矽晶圓、砷化鎵晶圓等不同的領域的製造。蝕刻後，電鍍銅線路之側蝕量及 Undercut 少，適合於 Fine Pitch 之製程。蝕刻速率穩定，Bath Life 長。
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選擇性銅蝕刻液
CU-845W是以雙氧水及有機酸為基礎的選擇性銅蝕刻液，應用於半導體晶圓封裝、高階IC載板、光電產業、被動元件等UBM的濺鍍銅層蝕刻製程。對於其他金屬具高度的選擇比，如:Ti、Ni、Sn/SnAg、Au、Al，並適用於矽晶圓、砷化鎵晶圓等不同的領域的製造。蝕刻後，電鍍銅線路之側蝕量及 Undercut 少，適合於 Fine Pitch 之製程。蝕刻速率穩定，Bath Life 長。