・使用於晶圓級封裝之銅的 UBM 層蝕刻製程，且對於其他金屬及底材具高度的選擇比，
   如:Ti、Ni、Sn/SnAg、Au、Polyimide、Glass、SiO2。
・蝕刻後，電鍍銅線路之側蝕量及 Undercut 少，適合於 Fine Pitch 之製程。
・蝕刻速率穩定，Bath Life 長。